In2O3敏化ZnO纳米棒阵列的性能及其光电催化活性

In2O3敏化ZnO纳米棒阵列的性能及其光电催化活性

O643%O644; 以掺氟SnO2(FTO)导电玻璃为基底,采用水热法制备了ZnO纳米棒阵列.通过In(NO3)3水溶液水洗的方法,合成了In2O3敏化ZnO纳米棒阵列光催化剂.采用场发射扫描电子显微镜(FESEM), X射线能谱(EDX), X射线衍射(XRD)及紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)对样品的形貌、结构、组成、晶相等进行一系列的表征.以罗丹明B (RhB)为目标降解物,探究了In2O3敏化ZnO纳米棒阵列光电催化活性.采用场诱导表面光伏技术(FISPV)研究了不同含量的In2O3敏化ZnO纳米棒阵列在光照射下的光生电荷行为.结合电化学工作站检测不同样品的光电流,随着I...

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Veröffentlicht in:物理化学学报 2013 (5), p.1021-1027
Hauptverfasser: 闫伟平, 王德军, 陈礼平, 卢永春, 谢腾峰, 林艳红
Format: Artikel
Sprache:chi
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王德军
陈礼平
卢永春
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