纳米结构TiO2/聚3-己基噻吩多孔膜电极光电性能研究
用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了ITO/聚3-己基噻吩（ITO/P3HT）膜和纳米结构TiO2/聚3-己基噻吩（TiO2/P3HT）复合膜的光电转换性质.结果表明,P3HT膜的禁带宽度为1.89 eV,价带位置为-5.4 eV.在ITO/FiO2/P3HT复合膜电极中存在p-n异质结,在一定条件下异质结的存在有利于光生电子-空穴对的分离.P3HT修饰ITO/TiO2电极可使光电流发生明显的红移,从而提高了宽禁带半导体的光电转换效率....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Wuli huaxue xuebao 2005, Vol.21 (12), p.1395-1398 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | chi |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| container_end_page | 1398 |
|---|---|
| container_issue | 12 |
| container_start_page | 1395 |
| container_title | Wuli huaxue xuebao |
| container_volume | 21 |
| creator | 郝彦忠 蔡春立 |
| description | 用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了ITO/聚3-己基噻吩（ITO/P3HT）膜和纳米结构TiO2/聚3-己基噻吩（TiO2/P3HT）复合膜的光电转换性质.结果表明,P3HT膜的禁带宽度为1.89 eV,价带位置为-5.4 eV.在ITO/FiO2/P3HT复合膜电极中存在p-n异质结,在一定条件下异质结的存在有利于光生电子-空穴对的分离.P3HT修饰ITO/TiO2电极可使光电流发生明显的红移,从而提高了宽禁带半导体的光电转换效率. |
| format | Article |
| fullrecord | <record><control><sourceid>wanfang_jour_chong</sourceid><recordid>TN_cdi_wanfang_journals_wlhxxb200512013</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><cqvip_id>20722954</cqvip_id><wanfj_id>wlhxxb200512013</wanfj_id><sourcerecordid>wlhxxb200512013</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-LOGICAL-c593-c728fa11d348299d6bd531ab388d26af8a81792b0dd4abd61fad6b9ee65fa7523</originalsourceid><addsrcrecordid>eNotzT1Lw0AABuAbFCy1f8LFKXgfuctllOAXFLpkD3e5XBsNKRqkHS1-gJtgFotUB0E6OJSiQos_53r5GUbq9L7Dw_tugAaCEDqMI74FWkWRSggRghQz3gCBXcztbG6Xj6vJTZh28F41GhPHfM_My8I8Lc3D1LyNzUdZ3T3b8nM1GZnb-79y9V5d_9jX0k6_tsGmFlmRtP6zCcLDgzA4dtqdo5Ngv-3E1CdO7GGuBUKKuBz7vmJSUYKEJJwrzITmgiPPxxIq5QqpGNKiNn6SMKqFRzFpgt317EDkWuTd6LR_eZHXh9Eg6w2HEkNIEYaI1HJnLeNeP--ep7WVIj7TaZZEGHoY-9Qlv3YDZvo</addsrcrecordid><sourcetype>Aggregation Database</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>article</recordtype></control><display><type>article</type><title>纳米结构TiO2/聚3-己基噻吩多孔膜电极光电性能研究</title><source>EZB-FREE-00999 freely available EZB journals</source><creator>郝彦忠 蔡春立</creator><creatorcontrib>郝彦忠 蔡春立</creatorcontrib><description>用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了ITO/聚3-己基噻吩（ITO/P3HT）膜和纳米结构TiO2/聚3-己基噻吩（TiO2/P3HT）复合膜的光电转换性质.结果表明,P3HT膜的禁带宽度为1.89 eV,价带位置为-5.4 eV.在ITO/FiO2/P3HT复合膜电极中存在p-n异质结,在一定条件下异质结的存在有利于光生电子-空穴对的分离.P3HT修饰ITO/TiO2电极可使光电流发生明显的红移,从而提高了宽禁带半导体的光电转换效率.</description><identifier>ISSN: 1000-6818</identifier><language>chi</language><publisher>河北科技大学化学与制药工程学院,石家庄,050018%河北科技大学化学与制药工程学院,石家庄,050018</publisher><subject>光电化学 ; 纳米结构TiO2/P3HT电极 ; 聚3-己基噻吩</subject><ispartof>Wuli huaxue xuebao, 2005, Vol.21 (12), p.1395-1398</ispartof><rights>Copyright © Wanfang Data Co. Ltd. All Rights Reserved.</rights><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Uhttp://image.cqvip.com/vip1000/qk/92644X/92644X.jpg</thumbnail><link.rule.ids>314,776,780,4009</link.rule.ids></links><search><creatorcontrib>郝彦忠 蔡春立</creatorcontrib><title>纳米结构TiO2/聚3-己基噻吩多孔膜电极光电性能研究</title><title>Wuli huaxue xuebao</title><addtitle>Acta Physico-Chimica Sinica</addtitle><description>用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了ITO/聚3-己基噻吩（ITO/P3HT）膜和纳米结构TiO2/聚3-己基噻吩（TiO2/P3HT）复合膜的光电转换性质.结果表明,P3HT膜的禁带宽度为1.89 eV,价带位置为-5.4 eV.在ITO/FiO2/P3HT复合膜电极中存在p-n异质结,在一定条件下异质结的存在有利于光生电子-空穴对的分离.P3HT修饰ITO/TiO2电极可使光电流发生明显的红移,从而提高了宽禁带半导体的光电转换效率.</description><subject>光电化学</subject><subject>纳米结构TiO2/P3HT电极</subject><subject>聚3-己基噻吩</subject><issn>1000-6818</issn><fulltext>true</fulltext><rsrctype>article</rsrctype><creationdate>2005</creationdate><recordtype>article</recordtype><recordid>eNotzT1Lw0AABuAbFCy1f8LFKXgfuctllOAXFLpkD3e5XBsNKRqkHS1-gJtgFotUB0E6OJSiQos_53r5GUbq9L7Dw_tugAaCEDqMI74FWkWRSggRghQz3gCBXcztbG6Xj6vJTZh28F41GhPHfM_My8I8Lc3D1LyNzUdZ3T3b8nM1GZnb-79y9V5d_9jX0k6_tsGmFlmRtP6zCcLDgzA4dtqdo5Ngv-3E1CdO7GGuBUKKuBz7vmJSUYKEJJwrzITmgiPPxxIq5QqpGNKiNn6SMKqFRzFpgt317EDkWuTd6LR_eZHXh9Eg6w2HEkNIEYaI1HJnLeNeP--ep7WVIj7TaZZEGHoY-9Qlv3YDZvo</recordid><startdate>2005</startdate><enddate>2005</enddate><creator>郝彦忠 蔡春立</creator><general>河北科技大学化学与制药工程学院,石家庄,050018%河北科技大学化学与制药工程学院,石家庄,050018</general><general>河北科技大学理学院</general><scope>2RA</scope><scope>92L</scope><scope>CQIGP</scope><scope>W94</scope><scope>~WA</scope><scope>2B.</scope><scope>4A8</scope><scope>92I</scope><scope>93N</scope><scope>PSX</scope><scope>TCJ</scope></search><sort><creationdate>2005</creationdate><title>纳米结构TiO2/聚3-己基噻吩多孔膜电极光电性能研究</title><author>郝彦忠 蔡春立</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-LOGICAL-c593-c728fa11d348299d6bd531ab388d26af8a81792b0dd4abd61fad6b9ee65fa7523</frbrgroupid><rsrctype>articles</rsrctype><prefilter>articles</prefilter><language>chi</language><creationdate>2005</creationdate><topic>光电化学</topic><topic>纳米结构TiO2/P3HT电极</topic><topic>聚3-己基噻吩</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>郝彦忠 蔡春立</creatorcontrib><collection>中文科技期刊数据库</collection><collection>中文科技期刊数据库-CALIS站点</collection><collection>中文科技期刊数据库-7.0平台</collection><collection>中文科技期刊数据库-自然科学</collection><collection>中文科技期刊数据库- 镜像站点</collection><collection>Wanfang Data Journals - Hong Kong</collection><collection>WANFANG Data Centre</collection><collection>Wanfang Data Journals</collection><collection>万方数据期刊 - 香港版</collection><collection>China Online Journals (COJ)</collection><collection>China Online Journals (COJ)</collection><jtitle>Wuli huaxue xuebao</jtitle></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext</fulltext></delivery><addata><au>郝彦忠 蔡春立</au><format>journal</format><genre>article</genre><ristype>JOUR</ristype><atitle>纳米结构TiO2/聚3-己基噻吩多孔膜电极光电性能研究</atitle><jtitle>Wuli huaxue xuebao</jtitle><addtitle>Acta Physico-Chimica Sinica</addtitle><date>2005</date><risdate>2005</risdate><volume>21</volume><issue>12</issue><spage>1395</spage><epage>1398</epage><pages>1395-1398</pages><issn>1000-6818</issn><abstract>用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了ITO/聚3-己基噻吩（ITO/P3HT）膜和纳米结构TiO2/聚3-己基噻吩（TiO2/P3HT）复合膜的光电转换性质.结果表明,P3HT膜的禁带宽度为1.89 eV,价带位置为-5.4 eV.在ITO/FiO2/P3HT复合膜电极中存在p-n异质结,在一定条件下异质结的存在有利于光生电子-空穴对的分离.P3HT修饰ITO/TiO2电极可使光电流发生明显的红移,从而提高了宽禁带半导体的光电转换效率.</abstract><pub>河北科技大学化学与制药工程学院,石家庄,050018%河北科技大学化学与制药工程学院,石家庄,050018</pub><tpages>4</tpages></addata></record> |
| fulltext | fulltext |
| identifier | ISSN: 1000-6818 |
| ispartof | Wuli huaxue xuebao, 2005, Vol.21 (12), p.1395-1398 |
| issn | 1000-6818 |
| language | chi |
| recordid | cdi_wanfang_journals_wlhxxb200512013 |
| source | EZB-FREE-00999 freely available EZB journals |
| subjects | 光电化学 纳米结构TiO2/P3HT电极 聚3-己基噻吩 |
| title | 纳米结构TiO2/聚3-己基噻吩多孔膜电极光电性能研究 |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-26T13%3A08%3A42IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-wanfang_jour_chong&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:journal&rft.genre=article&rft.atitle=%E7%BA%B3%E7%B1%B3%E7%BB%93%E6%9E%84TiO2/%E8%81%9A3-%E5%B7%B1%E5%9F%BA%E5%99%BB%E5%90%A9%E5%A4%9A%E5%AD%94%E8%86%9C%E7%94%B5%E6%9E%81%E5%85%89%E7%94%B5%E6%80%A7%E8%83%BD%E7%A0%94%E7%A9%B6&rft.jtitle=Wuli%20huaxue%20xuebao&rft.au=%E9%83%9D%E5%BD%A6%E5%BF%A0%20%E8%94%A1%E6%98%A5%E7%AB%8B&rft.date=2005&rft.volume=21&rft.issue=12&rft.spage=1395&rft.epage=1398&rft.pages=1395-1398&rft.issn=1000-6818&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cwanfang_jour_chong%3Ewlhxxb200512013%3C/wanfang_jour_chong%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rft_cqvip_id=20722954&rft_wanfj_id=wlhxxb200512013&rfr_iscdi=true |