纳米结构TiO2/聚3-己基噻吩多孔膜电极光电性能研究

用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了ITO/聚3-己基噻吩（ITO/P3HT）膜和纳米结构TiO2/聚3-己基噻吩（TiO2/P3HT）复合膜的光电转换性质.结果表明,P3HT膜的禁带宽度为1.89 eV,价带位置为-5.4 eV.在ITO/FiO2/P3HT复合膜电极中存在p-n异质结,在一定条件下异质结的存在有利于光生电子-空穴对的分离.P3HT修饰ITO/TiO2电极可使光电流发生明显的红移,从而提高了宽禁带半导体的光电转换效率....

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Veröffentlicht in:	Wuli huaxue xuebao 2005, Vol.21 (12), p.1395-1398
1. Verfasser:	郝彦忠蔡春立
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Schlagworte:	光电化学纳米结构TiO2/P3HT电极聚3-己基噻吩
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:	用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了ITO/聚3-己基噻吩（ITO/P3HT）膜和纳米结构TiO2/聚3-己基噻吩（TiO2/P3HT）复合膜的光电转换性质.结果表明,P3HT膜的禁带宽度为1.89 eV,价带位置为-5.4 eV.在ITO/FiO2/P3HT复合膜电极中存在p-n异质结,在一定条件下异质结的存在有利于光生电子-空穴对的分离.P3HT修饰ITO/TiO2电极可使光电流发生明显的红移,从而提高了宽禁带半导体的光电转换效率.
ISSN:	1000-6818