氢氧根离子在TiO2薄膜电极上的吸附行为和光氧化动力学

氢氧根离子在TiO2薄膜电极上的吸附行为和光氧化动力学

在醇的水溶液中，应用电化学方法研究了OH^-在TiO2薄膜电极上的吸附行为和光氧化动力学．实验结果表明，OH-在TiO2表面的吸附模型符合Langmuir等温吸附方程式，其光氧化动力学行为能用Lang-muir-Hinshelwood动力学方程来描述．在光强足够大时，光电流和OH^-在TiO2表面的吸附浓度成正比，这表明，光生空穴仅氧化吸附于TiO2表面的OH^-，同时吸附的水分子则不能被氧化．在醇浓度足够高的溶液中，自由基OH^+和电子之间的复合反应几乎不发生，这时整个光氧化反应的速控步骤是光生自由基OH^+的生成．...

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Veröffentlicht in:Wuli huaxue xuebao 2004, Vol.20 (7), p.735-739
1. Verfasser: 曹江林 冷文华 张鉴清 曹楚南
Format: Artikel
Sprache:chi
Schlagworte:
Langmuir等温吸附方程式
OH^-离子
TiO2薄膜
光氧化动力学
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creator 曹江林 冷文华 张鉴清 曹楚南
description 在醇的水溶液中，应用电化学方法研究了OH^-在TiO2薄膜电极上的吸附行为和光氧化动力学．实验结果表明，OH-在TiO2表面的吸附模型符合Langmuir等温吸附方程式，其光氧化动力学行为能用Lang-muir-Hinshelwood动力学方程来描述．在光强足够大时，光电流和OH^-在TiO2表面的吸附浓度成正比，这表明，光生空穴仅氧化吸附于TiO2表面的OH^-，同时吸附的水分子则不能被氧化．在醇浓度足够高的溶液中，自由基OH^+和电子之间的复合反应几乎不发生，这时整个光氧化反应的速控步骤是光生自由基OH^+的生成．
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