等离子体处理对突触晶体管长程塑性的影响

等离子体处理对突触晶体管长程塑性的影响

TQ174; 作为神经形态计算系统的基本组成单元,人工突触器件在高性能并行计算、人工智能和自适应学习方面具有巨大的应用潜力.其中,电解质栅突触晶体管(Electrolyte-gated synaptic transistors,EGSTs)以其沟道电导的可控性成为下一代神经形态器件被广泛研究的对象,并用来模拟神经突触功能.EGSTs因双电层的快速自放电效应,导致其存在长程塑性持续时间较短和沟道电导不易调控等问题.本研究采用水诱导的In2O3 薄膜作为沟道材料,以壳聚糖作为栅电解质材料,制备了基于 In2O3 的 EGSTs,并对器件沟道层进行了氧等离子体处理.研究发现,利用氧等离子体中的活性氧...

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Veröffentlicht in:无机材料学报 2023-04, Vol.38 (4), p.406-412
Hauptverfasser: 邱海洋, 苗广潭, 李辉, 栾奇, 刘国侠, 单福凯
Format: Artikel
Sprache:chi
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container_end_page 412
container_issue 4
container_start_page 406
container_title 无机材料学报
container_volume 38
creator 邱海洋
苗广潭
李辉
栾奇
刘国侠
单福凯
description TQ174; 作为神经形态计算系统的基本组成单元,人工突触器件在高性能并行计算、人工智能和自适应学习方面具有巨大的应用潜力.其中,电解质栅突触晶体管(Electrolyte-gated synaptic transistors,EGSTs)以其沟道电导的可控性成为下一代神经形态器件被广泛研究的对象,并用来模拟神经突触功能.EGSTs因双电层的快速自放电效应,导致其存在长程塑性持续时间较短和沟道电导不易调控等问题.本研究采用水诱导的In2O3 薄膜作为沟道材料,以壳聚糖作为栅电解质材料,制备了基于 In2O3 的 EGSTs,并对器件沟道层进行了氧等离子体处理.研究发现,利用氧等离子体中的活性氧自由基在沟道层表面产生陷阱态,使更多氢离子在电解质/沟道界面处被俘获,器件性能表现为回滞窗口增大,对 EGSTs 器件的长程塑性实现调控.基于双电层的静电耦合效应和电化学掺杂效应,本研究利用EGSTs器件模拟了神经突触的兴奋性突触后电流(EPSC)、双脉冲易化(PPF)、短程塑性(STP)和长程塑性(LTP)等突触行为.同时,基于该器件的EGSTs增强/抑制特性,采用三层人工神经网络进行手写数字识别,经过仿真训练后,发现该器件可训练出较高的识别率(94.7％).这些研究结果揭示:表面等离子体处理是影响器件性能的一项关键技术,并证明了该技术对调节EGSTs神经形态器件的突触功能具有较大的应用潜力.
doi_str_mv 10.15541/jim20220675
format Article
fullrecord <record><control><sourceid>wanfang_jour</sourceid><recordid>TN_cdi_wanfang_journals_wjclxb202304006</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><wanfj_id>wjclxb202304006</wanfj_id><sourcerecordid>wjclxb202304006</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-LOGICAL-s1026-fed08a18279fccabd9f098000abbfa3c49b7d814325e9c672e1af6167044a38e3</originalsourceid><addsrcrecordid>eNpjYBAxNNAzNDU1MdTPysw1MjAyMjAzN2Vh4DQ0MDDQNTYyieBg4C0uzkwyMDI2NLMwNDLhZLB8vrbz-bLdT9dOeLJ38tMlLc8ntD1dv_P5qsYXy5c9m7kNKPh83cKXU_c_X9H9dOHEZw3Ln89qebp349PJvTwMrGmJOcWpvFCamyHUzTXE2UPXx9_d09nRR7fY0MDITDctNcXAItHQwsjcMi05OTEpxTLNwNIC6KDEpKS0RONkE8sk8xQLQxNjI9NUy2Qzc6NUw8Q0M0MzcwMTk0Rji1RjbgZ1iLnliXlpiXnp8Vn5pUV5QBvjy7OScyqSgP40NjAxMDAzBgCkqFxm</addsrcrecordid><sourcetype>Aggregation Database</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>article</recordtype></control><display><type>article</type><title>等离子体处理对突触晶体管长程塑性的影响</title><source>Free E-Journal (出版社公開部分のみ）</source><creator>邱海洋 ; 苗广潭 ; 李辉 ; 栾奇 ; 刘国侠 ; 单福凯</creator><creatorcontrib>邱海洋 ; 苗广潭 ; 李辉 ; 栾奇 ; 刘国侠 ; 单福凯</creatorcontrib><description>TQ174; 作为神经形态计算系统的基本组成单元,人工突触器件在高性能并行计算、人工智能和自适应学习方面具有巨大的应用潜力.其中,电解质栅突触晶体管(Electrolyte-gated synaptic transistors,EGSTs)以其沟道电导的可控性成为下一代神经形态器件被广泛研究的对象,并用来模拟神经突触功能.EGSTs因双电层的快速自放电效应,导致其存在长程塑性持续时间较短和沟道电导不易调控等问题.本研究采用水诱导的In2O3 薄膜作为沟道材料,以壳聚糖作为栅电解质材料,制备了基于 In2O3 的 EGSTs,并对器件沟道层进行了氧等离子体处理.研究发现,利用氧等离子体中的活性氧自由基在沟道层表面产生陷阱态,使更多氢离子在电解质/沟道界面处被俘获,器件性能表现为回滞窗口增大,对 EGSTs 器件的长程塑性实现调控.基于双电层的静电耦合效应和电化学掺杂效应,本研究利用EGSTs器件模拟了神经突触的兴奋性突触后电流(EPSC)、双脉冲易化(PPF)、短程塑性(STP)和长程塑性(LTP)等突触行为.同时,基于该器件的EGSTs增强/抑制特性,采用三层人工神经网络进行手写数字识别,经过仿真训练后,发现该器件可训练出较高的识别率(94.7％).这些研究结果揭示:表面等离子体处理是影响器件性能的一项关键技术,并证明了该技术对调节EGSTs神经形态器件的突触功能具有较大的应用潜力.</description><identifier>ISSN: 1000-324X</identifier><identifier>DOI: 10.15541/jim20220675</identifier><language>chi</language><publisher>青岛大学 微纳技术学院,青岛 266071</publisher><ispartof>无机材料学报, 2023-04, Vol.38 (4), p.406-412</ispartof><rights>Copyright © Wanfang Data Co. Ltd. All Rights Reserved.</rights><lds50>peer_reviewed</lds50><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Uhttp://www.wanfangdata.com.cn/images/PeriodicalImages/wjclxb/wjclxb.jpg</thumbnail><link.rule.ids>314,776,780,27901,27902</link.rule.ids></links><search><creatorcontrib>邱海洋</creatorcontrib><creatorcontrib>苗广潭</creatorcontrib><creatorcontrib>李辉</creatorcontrib><creatorcontrib>栾奇</creatorcontrib><creatorcontrib>刘国侠</creatorcontrib><creatorcontrib>单福凯</creatorcontrib><title>等离子体处理对突触晶体管长程塑性的影响</title><title>无机材料学报</title><description>TQ174; 作为神经形态计算系统的基本组成单元,人工突触器件在高性能并行计算、人工智能和自适应学习方面具有巨大的应用潜力.其中,电解质栅突触晶体管(Electrolyte-gated synaptic transistors,EGSTs)以其沟道电导的可控性成为下一代神经形态器件被广泛研究的对象,并用来模拟神经突触功能.EGSTs因双电层的快速自放电效应,导致其存在长程塑性持续时间较短和沟道电导不易调控等问题.本研究采用水诱导的In2O3 薄膜作为沟道材料,以壳聚糖作为栅电解质材料,制备了基于 In2O3 的 EGSTs,并对器件沟道层进行了氧等离子体处理.研究发现,利用氧等离子体中的活性氧自由基在沟道层表面产生陷阱态,使更多氢离子在电解质/沟道界面处被俘获,器件性能表现为回滞窗口增大,对 EGSTs 器件的长程塑性实现调控.基于双电层的静电耦合效应和电化学掺杂效应,本研究利用EGSTs器件模拟了神经突触的兴奋性突触后电流(EPSC)、双脉冲易化(PPF)、短程塑性(STP)和长程塑性(LTP)等突触行为.同时,基于该器件的EGSTs增强/抑制特性,采用三层人工神经网络进行手写数字识别,经过仿真训练后,发现该器件可训练出较高的识别率(94.7％).这些研究结果揭示:表面等离子体处理是影响器件性能的一项关键技术,并证明了该技术对调节EGSTs神经形态器件的突触功能具有较大的应用潜力.</description><issn>1000-324X</issn><fulltext>true</fulltext><rsrctype>article</rsrctype><creationdate>2023</creationdate><recordtype>article</recordtype><recordid>eNpjYBAxNNAzNDU1MdTPysw1MjAyMjAzN2Vh4DQ0MDDQNTYyieBg4C0uzkwyMDI2NLMwNDLhZLB8vrbz-bLdT9dOeLJ38tMlLc8ntD1dv_P5qsYXy5c9m7kNKPh83cKXU_c_X9H9dOHEZw3Ln89qebp349PJvTwMrGmJOcWpvFCamyHUzTXE2UPXx9_d09nRR7fY0MDITDctNcXAItHQwsjcMi05OTEpxTLNwNIC6KDEpKS0RONkE8sk8xQLQxNjI9NUy2Qzc6NUw8Q0M0MzcwMTk0Rji1RjbgZ1iLnliXlpiXnp8Vn5pUV5QBvjy7OScyqSgP40NjAxMDAzBgCkqFxm</recordid><startdate>20230420</startdate><enddate>20230420</enddate><creator>邱海洋</creator><creator>苗广潭</creator><creator>李辉</creator><creator>栾奇</creator><creator>刘国侠</creator><creator>单福凯</creator><general>青岛大学 微纳技术学院,青岛 266071</general><scope>2B.</scope><scope>4A8</scope><scope>92I</scope><scope>93N</scope><scope>PSX</scope><scope>TCJ</scope></search><sort><creationdate>20230420</creationdate><title>等离子体处理对突触晶体管长程塑性的影响</title><author>邱海洋 ; 苗广潭 ; 李辉 ; 栾奇 ; 刘国侠 ; 单福凯</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-LOGICAL-s1026-fed08a18279fccabd9f098000abbfa3c49b7d814325e9c672e1af6167044a38e3</frbrgroupid><rsrctype>articles</rsrctype><prefilter>articles</prefilter><language>chi</language><creationdate>2023</creationdate><toplevel>peer_reviewed</toplevel><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>邱海洋</creatorcontrib><creatorcontrib>苗广潭</creatorcontrib><creatorcontrib>李辉</creatorcontrib><creatorcontrib>栾奇</creatorcontrib><creatorcontrib>刘国侠</creatorcontrib><creatorcontrib>单福凯</creatorcontrib><collection>Wanfang Data Journals - Hong Kong</collection><collection>WANFANG Data Centre</collection><collection>Wanfang Data Journals</collection><collection>万方数据期刊 - 香港版</collection><collection>China Online Journals (COJ)</collection><collection>China Online Journals (COJ)</collection><jtitle>无机材料学报</jtitle></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext</fulltext></delivery><addata><au>邱海洋</au><au>苗广潭</au><au>李辉</au><au>栾奇</au><au>刘国侠</au><au>单福凯</au><format>journal</format><genre>article</genre><ristype>JOUR</ristype><atitle>等离子体处理对突触晶体管长程塑性的影响</atitle><jtitle>无机材料学报</jtitle><date>2023-04-20</date><risdate>2023</risdate><volume>38</volume><issue>4</issue><spage>406</spage><epage>412</epage><pages>406-412</pages><issn>1000-324X</issn><abstract>TQ174; 作为神经形态计算系统的基本组成单元,人工突触器件在高性能并行计算、人工智能和自适应学习方面具有巨大的应用潜力.其中,电解质栅突触晶体管(Electrolyte-gated synaptic transistors,EGSTs)以其沟道电导的可控性成为下一代神经形态器件被广泛研究的对象,并用来模拟神经突触功能.EGSTs因双电层的快速自放电效应,导致其存在长程塑性持续时间较短和沟道电导不易调控等问题.本研究采用水诱导的In2O3 薄膜作为沟道材料,以壳聚糖作为栅电解质材料,制备了基于 In2O3 的 EGSTs,并对器件沟道层进行了氧等离子体处理.研究发现,利用氧等离子体中的活性氧自由基在沟道层表面产生陷阱态,使更多氢离子在电解质/沟道界面处被俘获,器件性能表现为回滞窗口增大,对 EGSTs 器件的长程塑性实现调控.基于双电层的静电耦合效应和电化学掺杂效应,本研究利用EGSTs器件模拟了神经突触的兴奋性突触后电流(EPSC)、双脉冲易化(PPF)、短程塑性(STP)和长程塑性(LTP)等突触行为.同时,基于该器件的EGSTs增强/抑制特性,采用三层人工神经网络进行手写数字识别,经过仿真训练后,发现该器件可训练出较高的识别率(94.7％).这些研究结果揭示:表面等离子体处理是影响器件性能的一项关键技术,并证明了该技术对调节EGSTs神经形态器件的突触功能具有较大的应用潜力.</abstract><pub>青岛大学 微纳技术学院,青岛 266071</pub><doi>10.15541/jim20220675</doi><tpages>7</tpages></addata></record>
fulltext fulltext
identifier ISSN: 1000-324X
ispartof 无机材料学报, 2023-04, Vol.38 (4), p.406-412
issn 1000-324X
language chi
recordid cdi_wanfang_journals_wjclxb202304006
source Free E-Journal (出版社公開部分のみ）
title 等离子体处理对突触晶体管长程塑性的影响
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-02-01T07%3A44%3A12IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-wanfang_jour&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:journal&rft.genre=article&rft.atitle=%E7%AD%89%E7%A6%BB%E5%AD%90%E4%BD%93%E5%A4%84%E7%90%86%E5%AF%B9%E7%AA%81%E8%A7%A6%E6%99%B6%E4%BD%93%E7%AE%A1%E9%95%BF%E7%A8%8B%E5%A1%91%E6%80%A7%E7%9A%84%E5%BD%B1%E5%93%8D&rft.jtitle=%E6%97%A0%E6%9C%BA%E6%9D%90%E6%96%99%E5%AD%A6%E6%8A%A5&rft.au=%E9%82%B1%E6%B5%B7%E6%B4%8B&rft.date=2023-04-20&rft.volume=38&rft.issue=4&rft.spage=406&rft.epage=412&rft.pages=406-412&rft.issn=1000-324X&rft_id=info:doi/10.15541/jim20220675&rft_dat=%3Cwanfang_jour%3Ewjclxb202304006%3C/wanfang_jour%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rft_wanfj_id=wjclxb202304006&rfr_iscdi=true