A/B位双取代钛酸铋钠基压电陶瓷性能研究

A/B位双取代钛酸铋钠基压电陶瓷性能研究

TM282; 采用固相烧结方法制备了Bi、Co同时取代化学计量比钛酸铋钠基(Bi0.5+x/2Na0.5-x/2)0.94Ba0.06Ti1-xCoxO3无铅压电陶瓷, 研究了材料中A/B位缺陷对其电滞回线和电致应变的影响.结果表明陶瓷具有均一的赝立方结构, 随着掺杂量的增加, 材料铁电-弛豫相转变温度降低, 应变增加.同时材料在疲劳过程中伴随着弛豫相的增多, 在较低电场下产生较大的应变(0.458%), 逆压电常数d33*达到770 pm/V.介电温谱和电滞回线上反常变化与化学计量比陶瓷中产生的A/B位缺陷偶极子密切相关, 并表明这种缺陷偶极子是以氧空位为媒介形成的....

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Veröffentlicht in:无机材料学报 2018-06, Vol.33 (6), p.683-687
Hauptverfasser: 刘霄, 徐小敏, 杜慧玲
Format: Artikel
Sprache:chi
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徐小敏
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