SnO2-Sb2O3基压敏陶瓷致密化及脉冲电流耐受特性
实验研究了TiO2、Co3O4、Cr2O3、Ni2O3和MnO掺杂对SnO2-Sb2O3基压敏陶瓷材料微观结构和电性能的影响.研究结果表明,TiO2和Co3O4促进SnO2陶瓷烧结致密化,根据XRD图谱分析结果,Co3O4与SnO2反应形成了Co2SnO4晶相,TiO2则固溶于SnO2晶相;Sb元素的引入能够促进SnO2晶粒的半导化;复合添加Cr2O3、Ni2O3和MnO可以有效提高材料的电压非线性特性和脉冲电流冲击耐受能力.获得电性能接近实用化的SnO2压敏陶瓷样品,其压敏电压V1mA约为350V/mm,非线性系数α达到50,漏电流小于5μA,并且在8/20μs脉冲电流冲击试验中,φ14mm...
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Veröffentlicht in: | Wu ji cai liao xue bao 2009, Vol.24 (4), p.841-844 |
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1. Verfasser: | |
Format: | Artikel |
Sprache: | chi |
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creator | 卢振亚 黄欢 吴建青 |
description | 实验研究了TiO2、Co3O4、Cr2O3、Ni2O3和MnO掺杂对SnO2-Sb2O3基压敏陶瓷材料微观结构和电性能的影响.研究结果表明,TiO2和Co3O4促进SnO2陶瓷烧结致密化,根据XRD图谱分析结果,Co3O4与SnO2反应形成了Co2SnO4晶相,TiO2则固溶于SnO2晶相;Sb元素的引入能够促进SnO2晶粒的半导化;复合添加Cr2O3、Ni2O3和MnO可以有效提高材料的电压非线性特性和脉冲电流冲击耐受能力.获得电性能接近实用化的SnO2压敏陶瓷样品,其压敏电压V1mA约为350V/mm,非线性系数α达到50,漏电流小于5μA,并且在8/20μs脉冲电流冲击试验中,φ14mm的样品能够经受2kA的脉冲峰值电流. |
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