同时模式的中波/长波碲镉汞双色红外探测器
采用光刻胶喷涂技术,突破了碲镉汞双色探测器加工的非平面离子注入和金属化开口等工艺.基于分子束外延（MBE）和原位掺杂技术生长的p3-p2-P1型碲镉汞（Hg1-xCdxTe）多层异质结材料,通过MW光电二极管n型注入区的开口刻蚀、非平面的MW/LW同步B＋注入、台面侧向钝化和爬坡金属化,得到了同时模式的128×128面阵MW/LW双色探测器.在液氮温度下,MW/LW双色探测器两个波段的光电二极管截止波长λc分别为5.10μm和10.10μm,对应的峰值探测率Dλp＊分别为2.02×1011cmHz1/2/W和3.10×1010cmHz1/2/W.通过对同时模式双色探测器材料与芯片结构的优化设计...
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| Veröffentlicht in: | 红外与毫米波学报 2012, Vol.31 (6), p.497-500 |
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| 1. Verfasser: | |
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| Sprache: | chi |
| Schlagworte: | |
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| description | 采用光刻胶喷涂技术,突破了碲镉汞双色探测器加工的非平面离子注入和金属化开口等工艺.基于分子束外延（MBE）和原位掺杂技术生长的p3-p2-P1型碲镉汞（Hg1-xCdxTe）多层异质结材料,通过MW光电二极管n型注入区的开口刻蚀、非平面的MW/LW同步B＋注入、台面侧向钝化和爬坡金属化,得到了同时模式的128×128面阵MW/LW双色探测器.在液氮温度下,MW/LW双色探测器两个波段的光电二极管截止波长λc分别为5.10μm和10.10μm,对应的峰值探测率Dλp＊分别为2.02×1011cmHz1/2/W和3.10×1010cmHz1/2/W.通过对同时模式双色探测器材料与芯片结构的优化设计,HgCdTe双色探测器MW向LW、LW向MW的光谱串音分别抑制到了3.8%和4.4%. |
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