纳米碳管催化CVD工艺中多物理场的耦合模拟分析
为了研究工艺参数对于化学气相沉积工艺制备纳米碳管的影响,建立了描述CVD工艺的2D轴对称几何模型,对CVD工艺中的温度场,前驱体浓度场、速度场进行了耦合模拟分析.研究结果表明在CVD炉内沿轴向存在一个很大的温度梯度,但高温沉积区域温度均匀稳定,前驱体乙炔浓度适中,有利于纳米碳管的生长.模拟结果的精确度高,可用于纳米碳管CVD工艺的参数优化,最终达到在计算机上做实验的目的....
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| Veröffentlicht in: | 材料工程 2007 (z1), p.11-14 |
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| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | chi |
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| Online-Zugang: | Volltext |
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| description | 为了研究工艺参数对于化学气相沉积工艺制备纳米碳管的影响,建立了描述CVD工艺的2D轴对称几何模型,对CVD工艺中的温度场,前驱体浓度场、速度场进行了耦合模拟分析.研究结果表明在CVD炉内沿轴向存在一个很大的温度梯度,但高温沉积区域温度均匀稳定,前驱体乙炔浓度适中,有利于纳米碳管的生长.模拟结果的精确度高,可用于纳米碳管CVD工艺的参数优化,最终达到在计算机上做实验的目的. |
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