Semiconductor laser device
23423A semiconductor laser according to the present invention comprises a λ/2 dielectric film (λ:in-medium wavelength of a dielectric film, for example, SiO, SiN, AlO, and AIN) in contact with an facet of a resonator; and a first dielectric double layered film disposed on the dielectric film, which...
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| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
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