Method for in-situ polycrystalline thin film growth

A method for in-situ polycrystalline thin film growth is provided. A catalyst enhanced chemical vapor deposition (CECVD) apparatus is used to grow the polycrystalline silicon thin film. No subsequent annealing or dehydrogenating process is needed. The method comprises exhausting a chamber to form a...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Kim, Han Ki, Kim, Myoung Soo, Huh, Myung Soo, Jeong, Seok Heon, Kang, Hee Cheol
Format:	Patent
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext bestellen
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