In-situ formation of metal insulator metal capacitors
xxyThe invention describes an in-situ method of fabricating a metal insulator metal (MIM) capacitor and products formed by the same. The method utilizes atomic layer deposition (ALD) or metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). In the method, a metal precursor is sequentially reacted with a n...
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|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
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