Method for forming inside nitride spacer for deep trench device DRAM cell
1. Field of the Invention A method is provided for forming an inside nitride spacer in a deep trench device DRAM cell. The method includes depositing an oxide liner in a trench etched from a semiconductor material, wherein the oxide lines abuts a pad nitride layer, a pad oxide layer under the pad ni...
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| Hauptverfasser: | , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
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