Field-effect transistor

The present invention concerns field-effect transistors, respectively a junction field-effect transistor and a metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) with substantially vertical geometry, wherein the field-effect transistors comprise a planar substrate, of non-conductive material...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Berggren, Rolf Magnus, Gustafsson, Bengt Goran, Karlsson, Johan Roger Axel
Format:	Patent
Sprache:	eng
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