Twin-free thermal laser epitaxy of Si on sapphire

The heteroepitaxial growth of silicon (Si) is essential for modern electronics. Our study investigates the potential of thermal laser epitaxy (TLE) for Si epitaxy. A systematic study on the evaporation behavior of Si during TLE identifies and addresses the causes of notable flux rate fluctuations, r...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of vacuum science and technology. B, Nanotechnology & microelectronics Nanotechnology & microelectronics, 2024-12, Vol.42 (6)
Hauptverfasser:	Smart, Thomas J., Kim, Dong Yeong, Braun, Wolfgang
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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