Control of unintentional oxygen incorporation in GaN

The impact of growth temperature on the unintentional oxygen incorporation in GaN and AlGaN grown by molecular beam epitaxy and the consequences for electrical and optical properties are investigated. In particular, transistor switching characteristics, magneto-transport traces, and photoluminescenc...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of vacuum science and technology. B, Nanotechnology & microelectronics Nanotechnology & microelectronics, 2017-03, Vol.35 (2)
Hauptverfasser:	Schmult, Stefan, Schubert, Felix, Wirth, Steffen, Großer, Andreas, Mittmann, Terence, Mikolajick, Thomas
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!