Epitaxial thin films of MgO on Si using metalorganic molecular beam epitaxy

Epitaxial cubic MgO thin films have been deposited on single crystal Si(001) substrates by metalorganic molecular beam epitaxy. The Mg source was the solid precursor magnesium acetylacetonate and a rf excited oxygen plasma was the oxidant. The growth process involved initial formation of an epitaxia...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 2000-07, Vol.18 (4), p.2146-2152
Hauptverfasser: Niu, F., Hoerman, B. H., Wessels, B. W.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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