Erratum: “MOCVD growth of β-Ga2O3 with fast growth rates (>4.3 μm/h), low controllable doping, and superior transport properties” [Appl. Phys. Lett. 125, 242106 (2024)]

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Veröffentlicht in:Applied physics letters 2025-01, Vol.126 (1)
Hauptverfasser: Yu, Dong Su, Meng, Lingyu, Zhao, Hongping
Format: Artikel
Sprache:eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0003-6951
1077-3118
DOI:10.1063/5.0253537