Metal–insulator transition of vanadium dioxide and the role of grain boundaries

The metal–insulator transition (MIT) in polycrystalline vanadium dioxide (VO2) is less sharp than in single-crystal VO2 due to the presence of grain boundaries (GBs). The MIT causes a resistivity change (Ron/Roff) across the MIT to decline from the single-crystal value of ∼104 and also causes a larg...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of applied physics 2023-06, Vol.133 (23)
Hauptverfasser: Zhang, Xuewei, Guo, Yuzheng, Chu, Daping, Robertson, John
Format: Artikel
Sprache:eng
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