Publisher's Note: “Geometrical magnetoresistance effect and mobility in graphene field-effect transistors” [Appl. Phys. Lett. 121, 013502 (2022)]

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2022-09, Vol.121 (11)
Hauptverfasser:	Rodrigues, Isabel Harrysson, Generalov, Andrey, Hoque, Anamul Md, Soikkeli, Miika, Murros, Anton, Arpiainen, Sanna, Vorobiev, Andrei
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied physics Field effect transistors Graphene Magnetoresistance Magnetoresistivity Semiconductor devices
Online-Zugang:	Volltext
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