Modelling of track formation in nanocrystalline inclusions in Si3N4

A multiscale modeling is applied to investigate structural changes caused by impacts of swift heavy ions in Si3N4 nanoclusters imbedded into amorphous and crystalline silicon nitride matrices. The approach combines the Monte Carlo code TREKIS describing the excitation kinetics of electronic and atom...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2022-08, Vol.132 (8)
Hauptverfasser:	Rymzhanov, R. A., Volkov, A. E., Zhalmagambetova, A., Zhumazhanova, A., Skuratov, V., Dauletbekova, A. K., Akilbekov, A. T.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Amorphous materials Crystal structure Crystallinity Density Grain boundaries Heavy ions Inclusions Molecular dynamics Nanoclusters Silicon nitride Subsystems
Online-Zugang:	Volltext
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