Faraday-cage-assisted etching of suspended gallium nitride nanostructures

We have developed an inductively coupled plasma etching technique using a Faraday cage to create suspended gallium-nitride devices in a single step. The angle of the Faraday cage, gas mix, and chamber condition define the angle of the etch and the cross-sectional profile, which can feature undercut...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	AIP advances 2020-05, Vol.10 (5), p.055319-055319-4
Hauptverfasser:	Gough, Geraint P., Sobiesierski, Angela D., Shabbir, Saleem, Thomas, Stuart, Beggs, Daryl M., Taylor, Robert A., Bennett, Anthony J.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	C band Cages Cross-sections Faraday cage Gallium nitrides Inductively coupled plasma Plasma etching
Online-Zugang:	Volltext
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