Zn-induced layer exchange of p- and n-type nanocrystalline SiGe layers for flexible thermoelectrics

Fermi-level control in a polycrystalline SiGe layer is challenging, especially under a low thermal budget owing to the low activation rate of impurities and defect-induced acceptors. Here, we demonstrate the low-temperature (120–350 °C) synthesis of nanocrystalline p- and n-type Si1−xGex (x: 0–1) la...

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Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2020-05, Vol.116 (18)
Hauptverfasser:	Tsuji, M., Kusano, K., Suemasu, T., Toko, K.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied physics Exchanging Low temperature Nanocrystals Silicon germanides Synthesis
Online-Zugang:	Volltext
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