A critical review of recent progress on negative capacitance field-effect transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2019-03, Vol.114 (9)
Hauptverfasser:	Alam, Muhammad A., Si, Mengwei, Ye, Peide D.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied physics Field effect transistors Semiconductor devices
Online-Zugang:	Volltext
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