Realization of TOPCon using industrial scale PECVD equipment

This paper discusses the successful realization of tunnel oxide passivated contacts (TOPCon) using industry-relevant PECVD equipment. It will be shown that batch-type direct plasma PECVD allows for a damage-free deposition of doped a-Si onto an ultra-thin oxide layer. Using symmetric test structures...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Polzin, Jana-Isabelle, Feldmann, Frank, Steinhauser, Bernd, Hermle, Martin, Glunz, Stefan
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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