Finite growth of InGaN/GaN triple-quantum-well microdisks on LiAlO2 substrate

We have grown high-quality InxGa1-xN/GaN triple-quantum-well microdisks on LiAlO2 substrate by plasma-assisted molecular beam epitaxy. The InxGa1-xN/GaN microdisk with a hexagonal shape of oblique face 28o-angle off c-axis was achieved. The mechanism of the termination of awl-shaped growth and the g...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	AIP advances 2018-09, Vol.8 (9), p.095208-095208-8
Hauptverfasser:	Tsai, Cheng-Da, Lo, Ikai, Wang, Ying-Chieh, Yang, Chen-Chi, You, Shuo-Ting, Yang, Hong-Yi, Huang, Hui-Chun, Chou, Mitch M. C.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Gallium nitrides Molecular beam epitaxy Quantum wells Substrates
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!