Facile fabrication and electrical investigations of nanostructured p-Si/n-TiO2 hetero-junction diode
In this work, we have fabricated the nanostructured p-Si/n-TiO2 hetero-junction diode by using a facile spin-coating method. The XRD analysis suggests the presence of well crystalline anatase TiO2 film on Si with small grain size (∼16 nm). We have drawn the band alignment using Anderson model to und...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , |
---|---|
Format: | Tagungsbericht |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Schreiben Sie den ersten Kommentar!