Temperature dependence of the energy bandgap of multi-layer hexagonal boron nitride

The temperature dependence of the energy bandgap of hexagonal boron nitride (h-BN) has been probed via photoluminescence emission characteristics of a donor-to-acceptor pair transition in a 20-layer h-BN epilayer. The results indicate that the universal behavior of bandgap decreasing with temperatur...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2017-09, Vol.111 (13)
Hauptverfasser:	Du, X. Z., Li, J., Lin, J. Y., Jiang, H. X.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied physics Boron nitride Graphite Multilayers Photoluminescence Temperature Temperature dependence Thermal expansion
Online-Zugang:	Volltext
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