Ferroelectricity-induced resistive switching in Pb(Zr 0.52 Ti 0.48 )O 3 /Pr 0.7 Ca 0.3 MnO 3 /Nb-doped SrTiO 3 epitaxial heterostructure

We investigated the effect of a ferroelectric Pb(Zr 0.52 Ti 0.48 )O 3 (PZT) thin film on the generation of resistive switching in a stacked Pr 0.7 Ca 0.3 MnO 3 (PCMO)/Nb-doped SrTiO 3 (Nb:STO) heterostructure forming a p-n junction. To promote the ferroelectric effect, the thin PZT active layer was...

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Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2012-03, Vol.100 (11), p.113505-113505-4
Hauptverfasser:	Md. Sadaf, Sharif, Mostafa Bourim, El, Liu, Xinjun, Hasan Choudhury, Sakeb, Kim, Dong-Wook, Hwang, Hyunsang
Format:	Artikel
Sprache:
Online-Zugang:	Volltext
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