Spectroscopic ellipsometry study of GaAs 1 − x Bi x material grownon GaAs substrate by atmospheric pressure metal-organicvapor-phase epitaxy

The optical properties in terms of complex dielectric function of GaAs 1 − x Bi x alloys ( 0 % ≤ x ≤ 3.7 % ) , grown by atmospheric pressure metal-organic vapor-phase epitaxy, are determined by using room temperature spectroscopic ellipsometry. The interband transition energies in the energy range o...

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Veröffentlicht in:Applied physics letters 2009-07, Vol.95 (1), p.011910-011910-3
Hauptverfasser: Ben Sedrine, Nebiha, Moussa, Imed, Fitouri, Hedi, Rebey, Ahmed, El Jani, Belgacem, Chtourou, Radhouane
Format: Artikel
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Online-Zugang:Volltext
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