Spectroscopic ellipsometry study of GaAs 1 − x Bi x material grownon GaAs substrate by atmospheric pressure metal-organicvapor-phase epitaxy
The optical properties in terms of complex dielectric function of GaAs 1 − x Bi x alloys ( 0 % ≤ x ≤ 3.7 % ) , grown by atmospheric pressure metal-organic vapor-phase epitaxy, are determined by using room temperature spectroscopic ellipsometry. The interband transition energies in the energy range o...
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Veröffentlicht in: | Applied physics letters 2009-07, Vol.95 (1), p.011910-011910-3 |
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