Surface preparation of Si(001) substrate using low- p H HF solution

We prepared atomically flat Si(001) surfaces that have well-ordered step-and-terrace structures using a low- p H ( p H < 1 ) HF solution (LPH) and subsequent low-temperature ( 750 ° ⁢ C ) annealing in H 2 . The flattening was attributed to the enhanced migration of Si atoms on the LPH-treated sur...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2005-04, Vol.86 (17), p.171907-171907-3
Hauptverfasser:	Morita, Yukinori, Nishizawa, Masayasu
Format:	Artikel
Sprache:
Online-Zugang:	Volltext
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