Crecimiento, propiedades estructurales, térmicas, ópticas y eléctricas del CuIn5S8

En el presente trabajo el compuesto CuIn5S8 es obtenido por fusión directa de la mezcla estequiométrica de los elementos químicos constituyentes. Los datos de la difracción de rayos X en polvo, indexados con el programa TREOR 90, muestran un cristal monofásico de estructura cúbica spinel, con grupo...

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Veröffentlicht in:Revista técnica de la Facultad de Ingeniería, Universidad del Zulia Universidad del Zulia, 2009-04, Vol.32 (1), p.60-67
Hauptverfasser: Estévez, Josefa, Durán, Larissa, Hernández, Elvis, Castro, Jaime, Meléndez, Lisandro, Fermín, José Rafael, Durante Rincón, Carlos Alberto
Format: Artikel
Sprache:por ; spa
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container_title Revista técnica de la Facultad de Ingeniería, Universidad del Zulia
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creator Estévez, Josefa
Durán, Larissa
Hernández, Elvis
Castro, Jaime
Meléndez, Lisandro
Fermín, José Rafael
Durante Rincón, Carlos Alberto
description En el presente trabajo el compuesto CuIn5S8 es obtenido por fusión directa de la mezcla estequiométrica de los elementos químicos constituyentes. Los datos de la difracción de rayos X en polvo, indexados con el programa TREOR 90, muestran un cristal monofásico de estructura cúbica spinel, con grupo espacial Fd3m y parámetro de celda unidad de 10.69 Å. De acuerdo con las medidas de Análisis Térmico Diferencia (ATD) este cristal funde congruentemente alrededor de 1084ºC. Se utilizaron medidas de tramitancia para obtener el coeficiente de absorción a. A partir de este último se encontraron dos brechas de energía Eg a temperatura ambiente, una directa y otra indirecta, con valores de 1.41 y 1.25 eV, respectivamente. Por primera vez se reporta la reflectividad de este compuesto, a partir de ésta se confirmaron los valores de las brechas de energía obtenidos de las medidas de tramitancia. El estudio de las propiedades eléctricas muestra que la conductividad del CuIn5S8 es tipo n. Dos energías de activación fueron estimadas de los diagramas de Arrhenius de la resistividad y de la concentración de portadores, 56 meV y 0.16 eV, respectivamente.
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El estudio de las propiedades eléctricas muestra que la conductividad del CuIn5S8 es tipo n. 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