Low frequency oscillations and bifurcation diagram in semi-insulating GaAs samples
We present an experimental study of bifurcation diagrams from low frequency current oscillations (LFO) measurements obtained from semi-insulating GaAs samples grown by low temperature molecular beam Epitaxy (LT-MBE). The considered growth temperatures were 215ºC and 265ºC. LFO are considered to be s...
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Veröffentlicht in: | Brazilian journal of physics 2006-06, Vol.36 (2a), p.258-260 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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