Low frequency oscillations and bifurcation diagram in semi-insulating GaAs samples

We present an experimental study of bifurcation diagrams from low frequency current oscillations (LFO) measurements obtained from semi-insulating GaAs samples grown by low temperature molecular beam Epitaxy (LT-MBE). The considered growth temperatures were 215ºC and 265ºC. LFO are considered to be s...

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Veröffentlicht in:Brazilian journal of physics 2006-06, Vol.36 (2a), p.258-260
Hauptverfasser: Silva, R. L. da, Albuquerque, H. A., Rubinger, R. M., Oliveira, A. G. de, Ribeiro, G. M., Rodrigues, W. N.
Format: Artikel
Sprache:eng
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Online-Zugang:Volltext
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