Impact of AlN interlayer on the electronic and I-V characteristics of In0.17Al0.83N/GaN HEMTs devices

Here, we study a simulation model of In0.17Al0.83N/GaN passivated high electron mobility transistors (HEMTs) on SiC substrate. The research focused systematically on the effet of AlN interlayer on the electronic and electric characteristics using the Nextnano simulation software. The 2D–electron gas...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Revista mexicana de física 2023-05, Vol.69 (3 May-Jun)
Hauptverfasser:	Douara, Abdelmalek, Rabehi, Abdelaziz, Baitiche, Oussama
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Physics, Multidisciplinary
Online-Zugang:	Volltext
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