Towards an ideal high-κ HfO-ZrO-based dielectric

The existence of a morphotropic phase boundary (MPB) inside HfO 2 -ZrO 2 solid solution thin films has been predicted; if it exists, it provides a new path toward an ideal silicon-compatible dielectric. Herein, we investigate the structural evolution along with the dielectric and ferroelectric behav...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Nanoscale 2021-08, Vol.13 (32), p.13631-1364
Hauptverfasser:	Kashir, Alireza, Ghiasabadi Farahani, Mehrdad, Hwang, Hyunsang
Format:	Artikel
Sprache:
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!