Low temperature growth of gallium oxide thin films via plasma enhanced atomic layer depositionElectronic supplementary information (ESI) available. See DOI: 10.1039/c7dt03427j

Herein we describe an efficient low temperature (60-160 °C) plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) process for gallium oxide (Ga 2 O 3 ) thin films using hexakis(dimethylamido)digallium [Ga(NMe 2 ) 3 ] 2 with oxygen (O 2 ) plasma on Si(100). The use of O 2 plasma was found to have a signifi...

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Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	O'Donoghue, Richard, Rechmann, Julian, Aghaee, Morteza, Rogalla, Detlef, Becker, Hans-Werner, Creatore, Mariadriana, Wieck, Andreas Dirk, Devi, Anjana
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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