An efficient PE-ALD process for TiO thin films employing a new Ti-precursor

An efficient plasma-enhanced atomic layer deposition (PE-ALD) process was developed for TiO 2 thin films of high quality, using a new Ti-precursor, namely tris(dimethylamido)-(dimethylamino-2-propanolato)titanium( iv ) (TDMADT). The five-coordinated titanium complex is volatile, thermally stable and...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of materials chemistry. C, Materials for optical and electronic devices Materials for optical and electronic devices, 2016-01, Vol.4 (5), p.157-165
Hauptverfasser:	Gebhard, M, Mitschker, F, Wiesing, M, Giner, I, Torun, B, de los Arcos, T, Awakowicz, P, Grundmeier, G, Devi, A
Format:	Artikel
Sprache:
Online-Zugang:	Volltext
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