Metamorphic Buffer Layer Platform for 1550 nm Single-Photon Sources Grown by MBE on (100) GaAs Substrate

We demonstrate single-photon emission with a low probability of multiphoton events of 5% in the C-band of telecommunication spectral range of standard silica fibers from molecular beam epitaxy grown (100)-GaAs-based structure with InAs quantum dots (QDs) on a metamorphic buffer layer. For this purpo...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Materials 2021-09, Vol.14 (18), p.5221
Hauptverfasser: Wroński, Piotr Andrzej, Wyborski, Paweł, Musiał, Anna, Podemski, Paweł, Sęk, Grzegorz, Höfling, Sven, Jabeen, Fauzia
Format: Artikel
Sprache:eng
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