Metamorphic Buffer Layer Platform for 1550 nm Single-Photon Sources Grown by MBE on (100) GaAs Substrate
We demonstrate single-photon emission with a low probability of multiphoton events of 5% in the C-band of telecommunication spectral range of standard silica fibers from molecular beam epitaxy grown (100)-GaAs-based structure with InAs quantum dots (QDs) on a metamorphic buffer layer. For this purpo...
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Veröffentlicht in: | Materials 2021-09, Vol.14 (18), p.5221 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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