Effect of Simultaneous Mechanical and Electrical Stress on the Electrical Performance of Flexible In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors
We investigated the effect of simultaneous mechanical and electrical stress on the electrical characteristics of flexible indium-gallium-zinc oxide (IGZO) thin-film transistors (TFTs). The IGZO TFTs exhibited a threshold voltage shift (∆VTH) under an application of positive-bias-stress (PBS), with a...
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Veröffentlicht in: | Materials 2019-10, Vol.12 (19), p.3248 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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