Negative Differential Conductance & Hot-Carrier Avalanching in Monolayer WS2 FETs
The high field phenomena of inter-valley transfer and avalanching breakdown have long been exploited in devices based on conventional semiconductors. In this Article, we demonstrate the manifestation of these effects in atomically-thin WS 2 field-effect transistors. The negative differential conduct...
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Veröffentlicht in: | Scientific reports 2017-09, Vol.7 (1), p.11256-9, Article 11256 |
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Hauptverfasser: | , , , , , , , , , , , , , , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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