Atomic Layer Deposition of Silicon Nitride Thin Films: A Review of Recent Progress, Challenges, and Outlooks

With the continued miniaturization of devices in the semiconductor industry, atomic layer deposition (ALD) of silicon nitride thin films (SiN ) has attracted great interest due to the inherent benefits of this process compared to other silicon nitride thin film deposition techniques. These benefits...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Materials 2016-12, Vol.9 (12), p.1007
Hauptverfasser:	Meng, Xin, Byun, Young-Chul, Kim, Harrison S, Lee, Joy S, Lucero, Antonio T, Cheng, Lanxia, Kim, Jiyoung
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Review
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!