Photo-induced optical activity in phase-change memory materials

We demonstrate that optical activity in amorphous isotropic thin films of pure Ge 2 Sb 2 Te 5 and N-doped Ge 2 Sb 2 Te 5 N phase-change memory materials can be induced using rapid photo crystallisation with circularly polarised laser light. The new anisotropic phase transition has been confirmed by...

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Veröffentlicht in:Scientific reports 2015-03, Vol.5 (1), p.8770-8770, Article 8770
Hauptverfasser: Borisenko, Konstantin B., Shanmugam, Janaki, Williams, Benjamin A. O., Ewart, Paul, Gholipour, Behrad, Hewak, Daniel W., Hussain, Rohanah, Jávorfi, Tamás, Siligardi, Giuliano, Kirkland, Angus I.
Format: Artikel
Sprache:eng
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