Photo-induced optical activity in phase-change memory materials
We demonstrate that optical activity in amorphous isotropic thin films of pure Ge 2 Sb 2 Te 5 and N-doped Ge 2 Sb 2 Te 5 N phase-change memory materials can be induced using rapid photo crystallisation with circularly polarised laser light. The new anisotropic phase transition has been confirmed by...
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Veröffentlicht in: | Scientific reports 2015-03, Vol.5 (1), p.8770-8770, Article 8770 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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