Excitation energy-dependent nature of Raman scattering spectrum in GaInNAs/GaAs quantum well structures
The excitation energy-dependent nature of Raman scattering spectrum, vibration, electronic or both, has been studied using different excitation sources on as-grown and annealed n- and p-type modulation-doped Ga 1 − x In x N y As 1 − y /GaAs quantum well structures. The samples were grown by molecu...
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Veröffentlicht in: | Nanoscale research letters 2012-11, Vol.7 (1), p.656-656, Article 656 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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