Room Temperature Synthesis of Tellurium by Solution Atomic Layer Deposition

This study demonstrates the deposition of tellurium (Te) on silicon/silicon nitride substrates using solution atomic layer deposition (sALD) at ambient temperature. The process employs tellurium tetrachloride (TeCl4) and bis­(triethylsilyl)-telluride ((TES)2Te) as precursors, with toluene as the sol...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Crystal growth & design 2024-10, Vol.24 (19), p.8056-8062
Hauptverfasser:	Willkommen, Jessica, Bahrami, Amin, Rodriguez, Nicolas Perez, Wrzesinska-Lashkova, Angelika, Vaynzof, Yana, Nielsch, Kornelius, Lehmann, Sebastian
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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