Enhancing the Plasma-Resistance Properties of Li 2 O-Al 2 O 3 -SiO 2 Glasses for the Semiconductor Etch Process via Alkaline Earth Oxide Incorporation

To develop plasma-resistant glass materials suitable for semiconductor etching processes, we introduced alkaline earth oxides (ROs) into a Li O-Al O -SiO (LAS) glass. Analysis of glass properties with respect to the additives revealed that among the analyzed materials, the LAS material in which Li O...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Materials 2023-07, Vol.16 (14)
Hauptverfasser:	Kim, So-Won, Lee, Hwan-Seok, Jun, Deok-Sung, Lee, Seong-Eui, Lee, Joung-Ho, Lee, Hee-Chul
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!