HfAlO x /Al 2 O 3 Bilayer Dielectrics for a Field Effect Transistor on a Hydrogen-Terminated Diamond

In this work, a hydrogen-terminated (H-terminated) diamond field effect transistor (FET) with HfAlO /Al O bilayer dielectrics is fabricated and characterized. The HfAlO /Al O bilayer dielectrics are deposited by the atomic layer deposition (ALD) technique, which can protect the H-terminated diamond...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Materials 2022-01, Vol.15 (2)
Hauptverfasser:	Zhang, Minghui, Lin, Fang, Wang, Wei, Wen, Feng, Chen, Genqiang, He, Shi, Wang, Yanfeng, Fan, Shuwei, Bu, Renan, Wang, Hongxing
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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