Piezotronic effect tuned AlGaN/GaN high electron mobility transistor

The piezotronic effect utilizes strain-induced piezoelectric polarization charges to tune the carrier transportation across the interface/junction. We fabricated a high-performance AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT), and the transport property was proven to be enhanced by applying an...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Nanotechnology 2017-11, Vol.28 (45), p.455203
Hauptverfasser:	Jiang, Chunyan, Liu, Ting, Du, Chunhua, Huang, Xin, Liu, Mengmeng, Zhao, Zhenfu, Li, Linxuan, Pu, Xiong, Zhai, Junyi, Hu, Weiguo, Lin Wang, Zhong
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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