Statistical Threshold-Voltage Variability in Scaled Decananometer Bulk HKMG MOSFETs: A Full-Scale 3-D Simulation Scaling Study

This paper presents a comprehensive full-scale three-dimensional simulation scaling study of the statistical threshold-voltage variability in bulk high- k /metal gate (HKMG) MOSFETs with gate lengths of 35, 25, 18, and 13 nm. Metal gate granularity (MGG) and corresponding workfunction-induced thresh...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2011-08, Vol.58 (8), p.2293-2301
Hauptverfasser:	Xingsheng Wang, Brown, A. R., Idris, N., Markov, S., Roy, G., Asenov, A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Devices Distortion Gates Grain size Grains Granularity Logic gates metal gate MOSFETs scaling Simulation Statistical distributions Studies Threshold voltage Tin variability workfunction
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