Fabrication of n-Type Mesoporous Silicon Nanowires by One-Step Etching
In general, n-type mesoporous silicon nanowires (mp-SiNWs) are exclusively created by the two-step metal-assisted chemical etching (MACE). This work first reports that one-step MACE (in HF and AgNO3) is also capable of producing the n-type mp-SiNWs, and the developed formula is generally adapted to...
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Veröffentlicht in: | Nano letters 2011-12, Vol.11 (12), p.5252-5258 |
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Hauptverfasser: | , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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