Fabrication of n-Type Mesoporous Silicon Nanowires by One-Step Etching

In general, n-type mesoporous silicon nanowires (mp-SiNWs) are exclusively created by the two-step metal-assisted chemical etching (MACE). This work first reports that one-step MACE (in HF and AgNO3) is also capable of producing the n-type mp-SiNWs, and the developed formula is generally adapted to...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Nano letters 2011-12, Vol.11 (12), p.5252-5258
Hauptverfasser: To, Wai-Keung, Tsang, Chi-Him, Li, Hau-Hau, Huang, Zhifeng
Format: Artikel
Sprache:eng
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Online-Zugang:Volltext
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