Switching time in optically bistable injection-locked semiconductor lasers
Switching between states in a dispersive bistable injection-locked slave laser has been theoretically investigated. We show that the switching can be achieved by relatively small and short (≈10-50 ps) variation of the master laser injection power or frequency, which, besides the variation of the sla...
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Veröffentlicht in: | Optics letters 2011-11, Vol.36 (21), p.4200-4202 |
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Hauptverfasser: | , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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